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BUK9M8R5-40HN沟道40V、8.5mΩ逻辑电平MOSFET规格书
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2025-02-13
陈敏
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符合汽车标准的逻辑电平N沟道MOSFET，采用采用Trench 9的LFPAK33封装 TrenchMOS技术。本产品已设计符合 AEC-Q101 标准，可用于高 高性能汽车应用。 2. 特点和优势 • • • 低功率损耗，高功率密度 完全符合 AEC-Q101 标准，温度为 175 °C 沟槽 9 超结技术： • LFPAK铜夹封装技术： • 高鲁棒性和可靠性 • 鸥翼引线，可实现高可制造性和AOI • 重复雪崩额定值
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