×

PL60N02D 20VN通道增强模式MOSFET

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:5.49 MB | 2023-11-02

深圳市百盛新纪元半导体有限公司
  • 807内容
  • 41w+阅读
  • 56粉丝

概述
PL60N02D采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON）、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V的操作。本设备适用于用作电池保护或其他开关应用程序。

一般特征
VDS = 20V ID =60A 
RDS(ON) < 5.5mΩ@ VGS=10V

应用
蓄电池保护
负荷开关
不间断电源 ​​​​

下载并关注上传者 低至0.43元/天 开通VIP 免费下载

声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉

评论(0)
发评论

下载排行榜

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !