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IRFRU120N HEXFET功率MOSFET的数据手册免费下载
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2019-05-21
caihoo
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来自国际整流器的第五代HEXFET采用先进的处理技术，以实现每个硅区的最小电阻。这一优点，加上HexFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和加固设备设计，为设计者提供了一个非常有效的设备，可用于各种应用。
D-PAK设计用于表面安装，使用气相、红外或波峰焊接技术。直导式（IRFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面安装应用中，功率耗散水平可达1.5瓦。
表面安装（IRFR120N）
直引线（IRFU120N）
先进工艺技术
快速切换
完全雪崩额定值
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