双N沟道40 V，13 mOhm逻辑电平MOSFET LFPAK56D（半桥配置）产品数据表

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张亮

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　　在高侧的源极(S1)之间进行内部连接FET到低侧FET的漏极(D2)，使该器件非常适合使用作为高性能PWM和空间受限的半桥开关电机驱动应用

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