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N沟道40 V，2.2 mOhm，180 A标准电平MOSFET PSMN2R2-40YSB数据手册
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2024-02-21
刘桂英
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175°C LFPAK56中的180 A标准电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET封装，使用先进的TrenchMOS超级结技术进行优化，提供提高了EMC性能(最高6 dB)。该产品经过设计并符合高性能电源开关应用。
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