N沟道40 V，1.8 mOhm，200 A逻辑电平MOSFET PSMN1R7-40YLB数据手册

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:310.74KB | 2024-02-21

jf_1689824260.1465

分享资料个

　　175°C LFPAK56封装中的200 A逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET，使用先进的TrenchMOS超级结技术并进行优化，以提供改进的EMC性能(高达6dB)。该产品经过设计并符合高性能要求电源开关应用。

下载并关注上传者 低至0.43元/天 开通VIP 免费下载

声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。举报投诉

发评论

相关下载
相关文章

下载排行榜

XL4015+LM358恒压恒流电路图
2024-11-08 148次下载

下载
新概念模拟电路第四册信号处理电路电子书免费下载
2024-10-24 65次下载

下载
PCB布线和布局电路设计规则
2024-11-09 30次下载

下载
智能门锁原理图
2024-11-14 13次下载

下载
JESD79-5C_v1.30-2024 内存技术规范
2024-10-28 10次下载

下载
elmo直线电机驱动调试细则
2024-11-04 9次下载

下载

N沟道40 V，1.8 mOhm，200 A逻辑电平MOSFET PSMN1R7-40YLB数据手册

N沟道40 V，2.6 mOhm，160 A逻辑电平MOSFET PSMN2R5-40YLB数据手册

N沟道40 V，2.2 mOhm，180 A标准电平MOSFET PSMN2R2-40YSB数据手册

N沟道40 V，2.1 mOhm，180 A逻辑电平MOSFET PSMN2R0-40YLB数据手册

N沟道40 V，1.9 mOhm，200 A标准电平MOSFET PSMN1R9-40YSB数据手册

N沟道40 V，3.5 mOhm，120 A标准电平MOSFET PSMN3R5-40YSB数据手册

N沟道40 V，3.3 mOhm，120 A逻辑电平MOSFET PSMN3R2-40YLB数据手册

N沟道40 V，2.8 mOhm，160 A标准电平MOSFET PSMN2R8-40YSB数据手册

D2PAK中的N沟道 40 V 1.3mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN1R1-40BS

D2PAK中的N沟道 30V,1.8mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R8-30BL

D2PAK中的N沟道 40 V 4.5mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN4R5-40BS

LFPAK中的N沟道 30 V 7mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN7R0-30YL

TO-220中的N沟道 30V,1.8mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R8-30PL

TO-220中的N沟道 30 V 2.7mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN2R7-30PL

LFPAK中的N沟道 25 V 1.2mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R2-25YL

LFPAK中的N沟道 30 V 1.3mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R3-30YL

N 沟道 30 V 1.7mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R6-30PL

N 沟道 LFPAK 40 V 2.8mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN2R6-40YS

N 沟道 40 V 4.6mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN4R5-40PS

N 沟道 40 V 7.6mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN8R0-40PS

N 沟道 LFPAK 40 V 8.6mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN8R3-40YS

SOT7 封装的N沟道 40V,2.2mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN2R1-40PL

采用 NextPower 技术的 LFPAK中的N沟道 40V,1.8 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R8-40YLC

LFPAK56中的N沟道 40V,1.8 mΩ、200A 逻辑电平 MOSFET，使用 NextPower-S3 Schottky-Plus 技术-PSMN1R7-40YLD

采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56中的N沟道 25V,1.75mOhm、200A 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R7-25YLD

双N沟道 40V,4.2mOhm 标准电平 MOSFET，采用 LFPAK56D（半桥配置）-PSMN4R2-40VSH

LFPAK56E中的N沟道 50V,1.7mOhm、200A 连续逻辑电平专用 MOSFET-PSMN1R5-50YLH

采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56D中的N沟道 40V,13.6mOhm、逻辑电平 MOSFET-PSMN014-40HLD

采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D中的N沟道 40V,9.4mOhm、逻辑电平 MOSFET-PSMN8R0-40HL

采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D中的N沟道 40V,7.2mOhm、逻辑电平 MOSFET-PSMN6R1-40HL

采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 40 V、6.8 mOhm、标准电平 MOSFET-PSMN6R8-40HS

东芝拓展40V N沟道功率MOSFET产品线，引领汽车节能新纪元

P沟道与N沟道MOSFET的基本概念

东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET

东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET，有助于汽车设备实现高散热和小型化

明纬电源40A导轨型冗余模块——DRDN40

SCT52A40_ 120V，4A，高频高压侧和低压侧栅极驱动器

英飞凌推出OptiMOS 7技术的40V车规MOSFET产品系列

英飞凌推出新一代面向汽车应用的OptiMOS 7 40V MOSFET系列

英飞凌推出面向汽车应用的新型 OptiMOS™ 7 40V MOSFET系列，改进导通电阻、提升开关效率和设计鲁棒性

ASDM30N40AE 功率MOSFET — 优质性能，引领能效革命

宝砾微 PL1303N04 QFN6*6-40L 40V/25.0A N沟道功率MOSFET

东芝推出150V N沟道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”

东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET，支持车载设备对更大电流的需求

东芝新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET支持车载大电流设备

MOSFET安全工作区和热插拔电路

优晶N沟道MOSFET YC40N04BDE用于PCR仪TEC控制

国芯思辰｜优晶N沟道MOSFET YC40N04BDE​用于PCR仪TEC控制，满足项目性能需求

P沟道和N沟道MOSFET在开关电源中的应用

NP2302MR(20V N沟道增强模MOSFET)

NP3416BEMR(20V N沟道增强模MOSFET)

NP3416EMR(20V N沟道增强模MOSFET)

NP3P06MR(40V P沟道增强模式MOSFET)

美浦森 新推出 40V 15A-160A HV MOSFET

耐压40V电子烟专用稳压LDO

N沟道耗尽型功率MOSFET的电路应用

现货推荐 | Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道60V (D-S) MOSFET

CISSOID的N沟道功率MOSFET晶体管的性能特点及应用范围

dfrobot混合式步进电机-42BYGH40-1.8-22A介绍

N沟道MOSFET型电源分配开关

P沟道和N沟道MOSFET在开关电源中的应用

下载排行榜

XL4015+LM358恒压恒流电路图

新概念模拟电路第四册信号处理电路电子书免费下载

PCB布线和布局电路设计规则

智能门锁原理图

JESD79-5C_v1.30-2024 内存技术规范

elmo直线电机驱动调试细则

国芯思辰｜优晶N沟道MOSFET YC40N04BDE用于PCR仪TEC控制，满足项目性能需求

美浦森新推出 40V 15A-160A HV MOSFET