N沟道40 V，1.8 mOhm，200 A逻辑电平MOSFET PSMN1R7-40YLB数据手册

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　　175°C LFPAK56封装中的200 A逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET，使用先进的TrenchMOS超级结技术并进行优化，以提供改进的EMC性能(高达6dB)。该产品经过设计并符合高性能要求电源开关应用。

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