N沟道40 V，1.9 mOhm，200 A标准电平MOSFET PSMN1R9-40YSB数据手册

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尚文清

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　　175°C LFPAK56中的200 A标准电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET封装，使用先进的TrenchMOS超级结技术进行优化，提供提高了EMC性能(最高6 dB)。该产品经过设计并符合高性能电源开关应用。

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