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N沟道40 V，0.81 mOhm，320 A标准电平MOSFET PSMNR70-40YSN英文资料
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2024-01-04
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175°C LFPAK56E中的320安标准电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET封装采用先进的TrenchMOS超级结技术。此产品经过设计并且有资格用于高性能功率开关应用。
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